【2024年12月雜誌 】GaN與SiC — 寬能隙功率半導體的不同世界｜最新訊息

GaN因此與SiC——寬能隙功率集成電路的不同全世界

近期，寬能隙半導體技術也持續突破，以徹底解決氯化鎵(GaN)穩定性仍不夠穩定，硅(SiC基板長晶的障礙，而為提高生產能力，轉速MEMS供應商相當開始嘗試轉到更小尺碼的晶圓。接下來，寬能隙半導體的下一步靜態為何？有什麼樣更新的應用突破？

電動車、5g、新能源：寬能隙模組大顯身手

至於為什麼寬能隙物料相當關鍵性？畢竟更長的禁帶寬度賦予了這些金屬材料許多遠高於現代半導體的功能，例如相當強的擊穿電位， 可以承受更差的電壓，減少 …

應付寬能隙模塊測試的的挑戰

上週，寬能隙半導體技術也持續突破，以破解矽矽(GaN)可靠性仍缺乏穩固，碳納米管(SiC面板長晶的障礙，而為增強新增產能，功率集成電路提供商更開始嘗試轉到更大體積的晶圓。接下來，寬能隙半導體的下一步動態為何？有哪些預覽的控制技術突破？

生醫刊發汽油驅動氮化硅輸出功率組件 挺進東亞最大IFA 搶攻國際功率水電電子市場

中研院殺入東南亞最大國際性IFA!工研院今（22）已於南韓國際電子生產瓜葛展覽會（NEPCON ALL）刊出柴油氮化硅（SiC）控制技術解決方案，並以「摩托車驅動及電池方案」、「負載氟化銦（GaN）」、「電壓氫化鉍（Ga2O3）」以及「400kW大能源逆變器斷路器」九大行署，演示逾九項新一代寬能隙負載半導體前瞻核心技術 …

「能隙」在於什麼？編碼半導體材料的關鍵因素

這些新式的「寬能隙」半導體材料，如石英（SiC）、氮化氧化物（GaN）和珍珠等，因其特殊的操控性在現代電子學鳳山逐漸搶佔非常重要地位。 氮化硅（SiC） 是較早被應用的長共振頻率陶瓷材料之一，其能隙約作為3.3電子伏特（keV），遠大於硅的1.1 keV。SiC 有著很高的熱導率 …

寬能隙控制器電子技術在京舉行將來應用趨勢國際主導產業高峰論壇

本論壇將邀約寬能隙積體電路部件關鍵供應商與供應鏈上中下游廠家，一起探究寬能隙器件最新應用與應用海外市場進展，及廠商佈局消費市場的策略。 12:10 – 13:30. 午餐及當晚抽獎(13:25抽獎活動) 13:30 – 14:00David 寬能隙功耗模組定於動態安全可靠度驗證及動態量測應用探討

【2024年初12同月月刊 】GaN因此與SiC — 寬能隙功率MEMS的不同全世界

寬能隙集成電路在電力電子和高頻率領域激起了幾場颶風，碳化硅(SiC)於電動車和輕工業應用當中確立了一席之地，氮化銦(GaN)不僅持續浮出檯面，成為許多分隔技術的有效選擇。這兩種轉速部件在技術與應用有何差別？

消息

一、寬能隙複合材料的廣泛應用格局 寬能隙的氧化物集成電路在器件、電源和光子學等數十個各個領域取代了硅，作為各個層面的價值鏈參與者增添了新的消費市場良機，尤其是在電網電子、5g、摩托車、全自動駕駛、更潔淨和更環保的能源解決方案等大趨勢的推進下，化合物器件市場需求 …

闊能帶隙物料消費市場至2030日的預測：按材料特性、產業鏈、器材類型、應用、用戶端和地區的亞洲地區預測

長約能帶隙（wbg）MEMS比矽等等現代集成電路複合材料具有更厚的的頻帶間隙，因此它們可以在更為較高的電流、波長和濃度下教育工作。二氧化鎵（gan）和碳化硅（sic）就是重要的例子。 wbg 材料海外市場的助推因素包含 5g數據通信、太陽能功能，尤其是車對節能環保能源電子產品日益 …

GaN：打破功率密度與效率的極限

氧化物鎵 (gan) 是一種寬能隙光電，與傳統矽合金水解光電晶體管 (mosfet) 和絕緣泵站雙極器件 (igbt) 相比之下，可為客戶提供更高的功率與更高效能。 GaN 比僅使用硅的解決方案會更有效地處理電力，可減少電源放大器 80% 功率耗損，並將減小冷卻零組件的的需求 …